Показано, що після відпалу структур на основі анодний оксид - HgCdTe (АО-КРТ), підданих дії лазерних ударних хвиль (ЛУХ), у порівнянні з необробленими зразками, відбувається зменшення на порядок концентрації електронів у конвертованому n-шарі; останній зникає за менших часів відпалу. Виявлено стабілізацію вбудованого додатнього заряду на межі поділу АО-КРТ до значення <$E (6,0 ~+-~ 1,0) ~cdot~ 10 sup 11 > см<^>-2 під дією ударної обробки. Запропоновано механізм впливу ЛУХ на межу поділу АО-КРТ.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"