Pyziak L. Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations / L. Pyziak, W. Obermayr, K. Zembrowska, M. Kuzma // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 183-188. - Бібліогр.: 40 назв. - англ.Відзначено, що для опису геометрії кластерів, що формуються на поверхні кремнію під час росту першого моношару, використано фрактальний аналіз і моделювання за допомогою методу Монте-Карло. Вважалось, що для епітаксії використовується метод імпульсного лазерного осадження. В експериментах шари одержано шляхом осадження на підкладки, температура яких змінювалась в інтервалі від 600 до 800 K. Топографію сформованих плоских кластерів характеризували їх фрактальним ящикоподібним розміром. Обговорено зв'язок між розміром і формою кластерів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22в641.8
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|