РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395108<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Pyziak L. 
Topography of Si epitaxial monolayers obtained on Si (001) substrate by computer simulations / L. Pyziak, W. Obermayr, K. Zembrowska, M. Kuzma // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. - 6, № 2. - С. 183-188. - Бібліогр.: 40 назв. - англ.

Відзначено, що для опису геометрії кластерів, що формуються на поверхні кремнію під час росту першого моношару, використано фрактальний аналіз і моделювання за допомогою методу Монте-Карло. Вважалось, що для епітаксії використовується метод імпульсного лазерного осадження. В експериментах шари одержано шляхом осадження на підкладки, температура яких змінювалась в інтервалі від 600 до 800 K. Топографію сформованих плоских кластерів характеризували їх фрактальним ящикоподібним розміром. Обговорено зв'язок між розміром і формою кластерів.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.22в641.8

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського