Структури метал - ізолятор - напівпровідник (МІН) одержано електронно-променевим випаровуванням Al2O3 на InP. Щоб пасивувати межу поділу InP/ізолятор, використано плівки поліфосфатів завтовшки 100 - 150 <$E roman A back 55 up 35 symbol Р>. Спектри фотолюмінесценції реєструвались за низьких температур на різних стадіях процесу виготовлення структури МІН - InP. Деградація межі поділу за рахунок повторюваних відпалів за температури 350 <$E symbol Р>C виявилась несуттєвою. Концентрація основних радіаційних дефектів з енергією від 0,95 до 1,15 еВ, виявлених за допомогою фотолюмінесценції та віднесених до комплексів домішок і вакансій фосфору, суттєво зменшується за присутності анодного оксиду.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"