Karachevtseva L. A. Photoelectrical characteristics of two-dimensional macroporous silicon structures / L. A. Karachevtseva, V. F. Onischenko, M. I. Karas', O. I. Dandur'yants, F. F. Sizov, O. J. Stronska // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 425-429. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.Досліджено фотоелектричні властивості двовимірних структур макропористого кремнію в ближньому ІЧ діапазоні спектра (1 - 8 мкм). Кутова залежність фотопровідності, її збільшення, реалізація одномодового режиму, істотне перевищення поглинання над відбиттям структур макропористого кремнію пояснені формуванням поверхневих поляритонів. Смуги фотопровідності корелюють із максимумами власного й домішкового поглинання світла. Величина фотопровідності визначається, переважно, збільшенням рухливості електронів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.4
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|