Запропоновано феноменологічний опис сегнетоелектричного невпорядкування, індукованого зарядженими домішками у сегнетоелектриках-напівпровідниках. Продемонстровано добре узгодження між експериментальними результатами, одержаними для PZT плівок, і теоретичними розрахунками. Вважається, що пропорційна середній густині дефектів <$E {rho bar } sub s > невласна провідність матеріалу є досить великою для екранування флуктуацій густини заряду <$E delta rho sub s> за відсутності зовнішнього поля. У зовнішньому полі <$E E sub 0 (t)> система заряджена флуктуація + хмара екранування поляризується, що призводить до виникнення динамічних флуктуацій внутрішнього поля та індукції <$E delta D>. Показано, що макроскопічний стан сегнетоелектрика-напівпровідника з випадковими зарядженими дефектами та достатньо високою невласною провідністю можна описати трьома зв'язаними рівняннями для трьох параметрів порядку, усереднених за об'ємом зразка. Індукція <$E D Bar> визначає сегнетоелектричне впорядкування системи, середньоквадратична флуктуація індукції <$E {delta D sup 2} Bar> визначає невпорядкування, зумовлене флуктуаціями електричного поля, що виникають біля флуктуацій густини заряду <$E delta rho sub s>, <$E {delta D delta rho sub s} Bar> визначає кореляції між розподілом екрануючого вільного заряду та густиною заряджених дефектів <$E delta rho sub s>. Вперше виведено таку систему трьох зв'язаних рівнянь: <$E GAMMA {del D Bar} over { del t} ~+~ left ( alpha ~+~3 beta {delta D sup 2} Bar right) D Bar ~+~ beta {D Bar } sup 3 ~=~E sub 0 (t)>, <$E GAMMA over 2 del over { del t} {delta D sup 2} Bar ~+~ left ( alpha ~+~3 beta {D Bar } sup 2 right ) { delt

a D sup 2} Bar ~+~ beta left ( { delta D sup 2} Bar right ) sup 2 ~=~-E sub 0 (t) {( delta rho sub s delta D)} Bar over {rho bar} sub s>, <$E GAMMA del over { del t} {delta D delta rho sub s } Bar ~+~ left ( alpha ~+~3 beta {D Bar} sup 2 ~+~ beta { delta D sup 2} Bar right ) { delta D delta rho sub s } Bar ~=~-E sub 0 (t) {{ delta rho sub s sup 2} Bar} over { rho bar } sub s>. Одержана система якісно описує особливості перемикання поляризації (петлі з перетяжками та частинні петлі гістерезісу) в таких сегнетоелектричних матеріалах з зарядженими дефектами, як товсті PZT плівки з ростовими дефектами, PLZT кераміка та монокристали SBN, доповані церієм.

• Морозовська Ганна Миколаївна (1977–) (фізико-математичні науки)
• Єлісєєв Євген Анатолійович (1977–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"