Досліджено спектри екситонного поглинання шаруватих кристалів InSe і GaSe, електрохімічно інтеркальованих воднем. Встановлено, що немонотонний зсув, який спостерігається за T = 80 K для максимуму n = 1 екситонної смуги поглинання під час зростання x (де x - кількість атомів водню, що припадає на одну формульну одиницю матриці кристала) виникає внаслідок зростання <$E epsilon sub 0> діелектричної сталої кристала завдяки появі водню у ван-дер-Ваальсовій щілині. Ріст <$E epsilon sub 0 ( bold x )> спершу призводить до зменшення енергії зв'язку екситона, але за більших концентрацій (коли параметр анізотропії <$E epsilon sup * ( bold x )> зростає) виникає двовимірна локалізація руху екситона в площині кристалічних шарів, що призводить до зменшення, а потім до стабілізації розмірів екситона та квантової ями.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"