В інтервалі температур 77 - 400 К вивчено I-V характеристики фотоелектричних перетворювачів на базі гетероепітаксійних структур <$E p - {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x { roman As}-p-{roman GaAs}-n-{roman GaAs}-n sup + -{roman GaAs}>, створених на плоских і мікрорельєфних підкладках <$E n sup + - roman GaAs> стандартною рідиннофазною епітаксією і капілярною рідиннофазною епітаксією з обмеженого об'єму, та вплив на механізм струмопереносу зовнішніх факторів: термообробки та іонізуючої радіації <$E gamma>-квантами <$E nothing sup 60 roman Co>. За температур <$E symbol Г~200> К на прямій гілці ВАХ переважає тунельна компонента струму до напруги порядку 1В, у той час як за кімнатної температури спостерігаються три компоненти (дифузійна, рекомбінаційна і тунельна). Це доведено, зокрема, залежністю ефективного фактора ідеальності I-V характеристики від прикладеної напруги. Переважання тунельної компоненти струму в широкому діапазоні спостерігалося в усіх сонячних елементах, одержаних на текстурованих підкладках <$E n sup + - roman GaAs>. В цьому разі додатковим фактором, що сприяє збільшенню тунельної компоненти струму, виступають нерівності рельєфу з малим радіусом кривизни.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271 + З854

Рубрики:

Електричні властивості

Фотоелектричні прилади.Фотоелементи

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"