Ріст епітаксіальних шарів, що містять алюміній чи індій, має свої особливості. Так, епітаксіальні шари, що були одержані методом рідиннофазової епітаксії за вмісту елемента заміщення (0,1 - 0,2 ат. %) можуть виявитися з неоднорідним розподілом межі розділу чи з гофрованою поверхнею. Висота піків у них може досягати від 2 до 15 мікронів. Результати досліджень діодних структур, що були одержані на основі епітаксійних шарів, вирощених комбінованим методом, наведені в даній роботі. На початку ріст відбувається завдяки ізотермічній епітаксії, яка викликана змішуванням першої і другої порції розчину за подачі наступної порції розплаву-розчину на попередню, після вирівнювання їх концентрацій ріст відбувається внаслідок примусового охолодження. Такий метод росту епітаксійних шарів можна розглядати як дельта теплову рідиннофазову епітаксію в багатоступінчастому процесі. <$E DELTA T~=~3~-~10~ symbol Р>C оптимальний для початкової температурної кристалізації ТКР = 750 - 830 <$E symbol Р>C.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"