Експериментально досліджено фотоелектричні характеристики структур <$E {roman Al} sub x {roman Ga} sub 1-x {roman As}~-~p-{roman GaAs}~-~n-{roman GaAs}> з рельєфною межею поділу. Виконано теоретичний аналіз спектральних залежностей внутрішнього квантового виходу струму короткого замикання вказаних сонячних елементів (СЕ). Окремо розглянуто довгохвильову область, коли поглинання слабке. Експериментальні спектральні залежності фотоструму порівняні з теоретичними. З їх порівняння визначено низку параметрів р-шарів AlxGa1-xAs та GaAs, а також n-шару GaAs. Розроблено рекомендації технологам щодо шляхів збільшення фотоструму та розширення спектральної області фоточутливості. Теоретично проаналізована "плямиста" модель формування напруги розімкненого кола в рельєфних СЕ на основі системи AlxGa1-xAs - р-GaAs - n-GaAs, яка дозволяє якісно пояснити зменшення напруги розімкненого кола в рельєфних СЕ у порівнянні з випадком плоскої межі поділу.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З854.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"