Abouelaoualim D. Effects of LO-phonon confinement on electron mobility in GaAs-Al0,45Ga0,55As superlattice / D. Abouelaoualim // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2004. - 7, № 4. - С. 333-338. - Бібліогр.: 42 назв. - англ.Розраховано значення паралельної та перпендикулярної рухливості електронів у надгратці GaAs-Al0,45Ga0,55As. До уваги прийнято розсіювання електронів, обумовлене обмеженими поздовжніми оптичними фононами. Квантово-механічна трактовка дозволила запропонувати нову хвильову функцію для електронної мінізони провідності у надгратці та переформулювати модель пластин для обмежених мод LO-фононів. Одержано вираз для часу релаксації. Одержані результати свідчать, що час релаксації суттєво залежить від повної енергії електронів. Проаналізовано вплив непараболічності зон на час релаксації. Результати обчислень показують, що за 300 K рухливість електронів підсилюється, якщо ширина ями у надгратці сягає 45 <$E roman A back 55 up 35 symbol Р>. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|