РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395258<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Arsentyev I. N. 
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis / I. N. Arsentyev, A. V. Bobyl, I. S. Tarasov, M. V. Shishkov, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, A. B. Kamalov, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudryk, O. S. Lytvyn, P. M. Lytvyn, E. P. Markovskiy, V. V. Milenin // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 104-114. - Бібліогр.: 29 назв. - англ.

A novel technological approach to fabrication of n-InP autoepitaxial films LPE-grown on porous <$E n sup +>-InP substrates, as well as ohmic and barrier contacts to them using (quasi)amorphous TiBx interstitial phases, is proposed. We demonstrate the advantages of <$E {roman TiB} sub x ~-~n-n sup + - n sup ++>-InP Schottky-barrier diodes made on porous substrates over those made on the standard rigid substrates, as well as the possibility to make Gunn diodes (intended for the 120 - 150 GHz frequency range) on the InP epitaxial structures grown on porous substrates.


Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського