A novel technological approach to fabrication of n-InP autoepitaxial films LPE-grown on porous <$E n sup +>-InP substrates, as well as ohmic and barrier contacts to them using (quasi)amorphous TiBx interstitial phases, is proposed. We demonstrate the advantages of <$E {roman TiB} sub x ~-~n-n sup + - n sup ++>-InP Schottky-barrier diodes made on porous substrates over those made on the standard rigid substrates, as well as the possibility to make Gunn diodes (intended for the 120 - 150 GHz frequency range) on the InP epitaxial structures grown on porous substrates.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"