РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395261<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Belyaev A. E. 
Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis / A. E. Belyaev, A. V. Bobyl, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, S. G. Konnikov, Ya. Ya. Kudryk, E. P. Markovsky, V. V. Milenin, E. M. Rudenko, G. F. Tereschenko, V. P. Ulin, V. M. Ustinov, G. E. Tsirlin, A. P. Shpak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 65-71. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

The <$E n sup + - n - n sup + - n sup ++>-GaAs epitaxial structures were MBE-grown on porous nanostructured and traditional (standard) heavily doped <$E n sup ++>-GaAs substrates. On their basis, we fabricated the Gunn diodes generating power output in the 44 - 59 GHz (first harmonic) and 101 - 104 GHz (second harmonic) frequency ranges. For both harmonics, the power output of the Gunn diodes grown on porous substrates was shown to be from 20 to 30 % higher than those grown on the flat ones.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З852.2

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського