Belyaev A. E. Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis / A. E. Belyaev, A. V. Bobyl, N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, R. V. Konakova, S. G. Konnikov, Ya. Ya. Kudryk, E. P. Markovsky, V. V. Milenin, E. M. Rudenko, G. F. Tereschenko, V. P. Ulin, V. M. Ustinov, G. E. Tsirlin, A. P. Shpak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2005. - 8, № 4. - С. 65-71. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.The <$E n sup + - n - n sup + - n sup ++>-GaAs epitaxial structures were MBE-grown on porous nanostructured and traditional (standard) heavily doped <$E n sup ++>-GaAs substrates. On their basis, we fabricated the Gunn diodes generating power output in the 44 - 59 GHz (first harmonic) and 101 - 104 GHz (second harmonic) frequency ranges. For both harmonics, the power output of the Gunn diodes grown on porous substrates was shown to be from 20 to 30 % higher than those grown on the flat ones. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + З852.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|