We consider ohmic contacts to the n-InSb epitaxial layers grown on a semi-insulating GaAs substrate. The ohmic contacts are formed with titanium metallization with subsequent gilding. Using the structural (AFM and XRD) and analytical (AES) techniques, we showed that thermal annealings at <$E T~=~300~ symbol Р>C (for 60 s) and 360 <$E symbol Р>C (for 30 s) do not change phase composition of the metallization. This ensures thermal stability of the contacts and Hall sensors made on the basis of Au - Ti - n-InSb - GaAs(i) structures.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Мітін Вадим Федорович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"