Within the frequency interval of <$E 10 sup -1> to <$E 10 sup 6> Hz investigated were the frequency dependences of the capacitance C and resistance R for modified <$E roman С sub 60> films in darkness and on exposure to the focused white light. A clamping ITO electrode with an intermediate layer of isotropic liquid (glycerin or distilled water) was taken instead of the traditionally used deposited top metal electrode. Found are the conditions when C and R changes are caused by near-electrode (<$E f~<<~10 sup 3> Hz) and bulk (<$E f~>>~10 sup 4> Hz) processes. It was shown that the sharp reduction of C and R with growing the frequency corresponds to the transition from one condition to the other, and such process can be described with account of the "classical" Maxwell-Wagner mechanism of interlayer polarization. The relaxation time of such process was found to be equal approximately 10 ns. This time was shown to depend on the manufacturing technology of <$E roman С sub 60> films. Having analyzed the obtained frequency dependences of C and R, an equivalent circuit of the sample was suggested. We estimated the thicknesses of the liquid layer (<$E symbol Ы~30~ roman {mu m}>) and near-electrode layer of <$E roman С sub 60> films (tens of nanometers). Comparing the frequency dependences of C and R on exposure to light of the bottom and top electrodes, it was assumed that the <$E roman С sub 60> films under laser UV-irradiation is non-uniform in thickness.

Індекс рубрикатора НБУВ: В372 + В374

Рубрики:

Структура твердих тіл

Оптичні властивості твердих тіл. Оптичні властивості кристалів (кристалооптика)

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Найко Дмитро Антонович (1952–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"