Correlation between the technological parameters of the recrystallization process and the morphology and structure of screen-printed p-CdTe layers intended for CdS/CdTe solar cells fabrication is established and the optimal regimes for formation of layers with required characteristics are found. As distinct from the screen-printing techniques for CdS/CdTe solar cells fabrication described previously, CdTe layers were doped with Ag or Au not by diffusion from the layer surface but in the course of layer preparation. For that aim the tellurides of those metals were added into the raw paste used for CdTe screen printing. It is shown that the method developed has some advantages and makes it possible to prepare CdTe films whose structural and electrophysical parameters are suitable for fabrication of CdS/CdTe solar cells.

Індекс рубрикатора НБУВ: З252.8

Рубрики:

Сонячні батареї

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Литвин Петро Мар'янович (фізико-математичні науки)
• Пекар Григорій Соломонович (фізико-математичні науки)
• Прокопенко Ігор Вікторович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"