We proposed to use an amorphous metal alloy Al80Ni20 as ohmic contact and current-collecting tracks to silicon photoconverter (PC) on a basis of p - n junction. The technological processes of producing the silicon photosensitive structures and coating the films with amorphous structure are described. The data of the X-ray structure analysis of the metal alloy Al80Ni20 confirming amorphism are resulted. The key PC parameters are determined.

Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2-06

Рубрики:

Напівпровідникові фотоелектричні прилади

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"