This paper describes measurements of the velocity of electrons at electric fields up to 100 kV/cm in GaN/AlGaN heterostructures. In order to avoid the Joule heating effect, a pulse technique with a time sweep of 10 - 30 ns was used. The experimental results indicate that overheating of the 2DEG does not exceed 1000 K in this electric field range and drift velocity as high as ~ <$E 10 sup 7> cm/s was obtained. Additionally, the low frequency 1/f noise spectra measured for a different bias voltage are analyzed with respect to field-induced contribution of hopping conductivity in AlGaN barrier region.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Кочелап В'ячеслав Олександрович (1944–) (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"