Shutov S. V. Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing / S. V. Shutov, A. D. Shtan'ko, V. V. Kurak, M. B. Litvinova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 26-30. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.The time dependences of changes of the electrophysical, mechanical, and light emitting characteristics of semiinsulated undoped GaAs single crystals on the dissolving annealing with the consequent quenching are obtained. The role of vacancies, interstitial point defects, and dislocations in nonstoichiometric crystals is revealed. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|