<$E {roman Cd} sub x {roman Hg} sub 1-x roman Te>-based (x = 0 - 0,25) quantum wells (QWs) of 8 - 22 nm in thickness were grown on (013) CdTe/ZnTe/GaAs substrates by molecular beam epitaxy. The composition and thickness (d) of wide-gap layers (spacers) were x ~ 0,7 mol.frac. and d ~ 35 nm, respectively, at both sides of the quantum well. The thickness and composition of epilayers during the growth were controlled by ellipsometry in situ. It was shown that the accuracy of thickness and composition were <$E DELTA x~=~symbol С~0,002>, <$E DELTA d~=~symbol С~0,05> nm. The central part of spacers (10 nm thick) was doped by indium up to a carrier concentration of ~ <$E 10 sup 15~roman cm sup -3>. A CdTe cap layer 40 nm in thickness was grown to protect QW. The compositions of the spacer and QWs were determined by measuring the <$E E sub 1> and <$E E sub 1~+~DELTA sub 1> peaks in reflection spectra using layer-by-layer chemical etching. The galvano-magnetic investigations (the range of magnetic fields was 0 - 13 T) of the grown QW showed the presence of a 2D electron gas in all the samples. The 2D electron mobility <$E mu sub e~=~(2,4~-~3,5)~times~10 sup 5~roman {cm sup 2 "/" (V~cdot~s)}> for the concentrations <$E N~=~(1,5~-~3)~times~10 sup 11~roman cm sup -2> (<$E x~<<~0,11>) that confirms a high quality of the grown QWs.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2

Рубрики:

Фізика напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Швець Валеріян Анатолійович (технічні науки)
• Швець Віра Антонівна (хімічні науки)
• Швець Віта Андріївна (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"