РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІ
НАДХОДЖЕННЯ
ПОШУК
РУБРИКАТОР

Бази даних

Реферативна база даних - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395368<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Lysenko V. S. 
Influence of traps in gate oxide-Si film transition layers on FD MOSFET's characteristics at cryogenic temperatures / V. S. Lysenko, I. P. Tyagulsky, I. N. Osiyuk, A. N. Nazarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 2. - С. 34-39. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.

The results of experiments on the influence of recharging the electron traps in a Si-SiO2 transition layer on the low-temperature characteristics of fully depleted silicon in insulator MOSFET devices are presented. It is shown that the low-dose gamma-radiation improves electrophysical parameters of the transition layer.


Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226

Рубрики:
 Тонкі шари напівпровідників 

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського