Sachenko A. V. Modeling of photoconversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p - i - n structures / A. V. Sachenko, I. O. Sokolovskyi, A. Kazakevitch, A. I. Shkrebtii, F. Gaspari // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2007. - 10, № 4. - С. 60-66. - Бібліогр.: 13 назв. - англ.An analytical formalism to optimize the photoconversion efficiency <$E eta> of hydrogenated amorphous silicon-based (a-Si:H) solar cells has been developed. This model allows firstly the optimization of a <$E p sup +~-~i~-~n> sandwich in terms of carrier mobilities, thickness of the layers, doping levels, and others. Second, the geometry of grid fingers that conduct the photocurrent to the bus bars and ITO/SiO2 layers has been optimized, and the effect of non-zero incidence angles of Sun's light has been included as well. The optimization method has been applied to typical a-Si:H solar cells. The codes allow the optimization of amorphous Si based solar cells in a wide range of parameters and are available on the e-mail request. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|