We investigated a current flow mechanism in the Au - TiBx - n-GaN - i-Al2O3 Schottky barrier diodes, in which the space-charge region width is much over the de Broglie wavelength in GaN. An analysis of the temperature dependences of the I - V curves of forward-biased Schottky barriers showed that, in the temperature range 80 - 380 K, the current flow occurs as a tunneling one along dislocations crossing the space-charge region. The dislocation density <$E rho> estimated from the I - V curves (in accordance with the model of tunneling along the dislocation line) was <$E symbol Ы~1,7~times~10 sup 7~roman cm sup -2>. This value is close to that obtained with x-ray diffraction technique.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Іванов Вадим Миколайович (1892–1962) (медичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"