РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395410<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Yodgorova D. M. Research of the photo-voltaic effect in the two-base <$E bold roman {Ag-N sup 0 AlGaAs-n sup + GaAs-n sup 0 GaInAs-Au}> structure with various thicknesses of a base / D. M. Yodgorova, A. V. Karimov, F. A. Giyasova, D. A. Karimova // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2008. - 11, № 1. - С. 75-78. - Бібліогр.: 8 назв. - англ. The results of research of photoelectric phenomena in the two-base <$E roman {Ag-N sup 0 AlGaAs-n sup + GaAs-n sup 0 GaInAs-Au}> structure are presented. The photo-voltaic effect observable in a wide range of the spectrum (0,4 - 2 <$E mu>m) is explained by different signs of the photo EMF created by the separation of photocarriers in the energy barrier and from the levels of intrinsic defects as well as deep impurities of oxygen in the quasineutral base. A mechanism of photosensitivity of thin base structures with Schottky - Mott's barrier under photovoltaic conditions is offered. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.14 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського