Charge trapping in ultrathin high-k Gd2O3 dielectric leading to appearance of hysteresis in C - V curves is studied by capacitance-voltage, conductance-frequency and current-voltage techniques at different temperatures. It was shown that the large leakage current at a negative gate voltage causes the reversible trapping of the positive charge in the dielectric layer, without electrical degradation of the dielectric and dielectric-semiconductor interface. The capture cross-sections of the hole traps are around <$E 10 sup -18> and <$E 2~times~10 sup -20~roman cm sup 2>. The respective shift of the C - V curve correlates with a "plateau" at the capacitance corresponding to weak accumulation at the silicon interface.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.371

Рубрики:

Електричні властивості діелектриків

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гоменюк Юрій Вікторович (фізико-математичні науки)
• Гоменюк Юрій Юрійович (фізико-математичні науки)
• Лисенко Володимир Сергійович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"