Vlaskina S. I. 3C-6H transformation in heated cubic silicon carbide 3C-SiC / S. I. Vlaskina, G. N. Mishinova, V. I. Vlaskin, V. E. Rodionov, G. S. Svechnikov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 4. - С. 432-436. - Бібліогр.: 19 назв. - англ.Results of the research on the photoluminescence study of the 3C-6H-SiC phase transformation are presented. 3C-SiC crystals with in grown 3C-6H transformation and pure perfect 3C-SiC crystals grown by the Tairov-Tsvetkov method without a polytypes joint after high temperature annealing were investigated. Fine structure at the energy of E = 2,73, 2,79 eV, E = 2,588 eV, and E = 2,48 eV that appeared after annealing was described. The role of stacking faults in the process of structure transformation was investigated. Індекс рубрикатора НБУВ: В345.3 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|