Studying the <$E gamma>-irradiation influence on the properties of n-type germanium (<$E n - roman {Ge~symbol ...~As~symbol ъ}>) within the interval of concentrations of the doping arsenic impurity <$E 7,79~times~10 sup 13 ~symbol Г~N sub roman As ~symbol Ъ~n sub e ~symbol Г~6,36~times~ 10 sup 16~roman cm sup -3> has shown that the initial resistivity of single crystals with concentrations <$E N sub roman As ~symbol У~5~times~10 sup 15~roman cm sup -3> remains constant within the accuracy of measurements carried out. Only in weakly doped crystals (with <$E N sub roman As ~symbol Ы~7,79~times~10 sup 13~roman cm sup -3> and less), the used doses of <$E gamma>-irradiation cause appreciable reduction both in the carrier concentration ne and their mobility <$E mu>.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.227

Рубрики:

Радіаційні ефекти в напівпровідниках

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"