![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395529<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Bochkova T. M. Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T. M. Bochkova, S. N. Plyaka // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 170-174. - Бібліогр.: 17 назв. - англ.Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, In-Ga electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of charge carriers. It has been shown that Bi4Ge3O12 is relaxation type semiconductor. The appearance of the regions with negative differential resistance or sublinear rise of the current in I - V characteristics is connected with the injection of the minority charge carriers and recombination processes in the space charge layer. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|