Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, In-Ga electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of charge carriers. It has been shown that Bi4Ge3O12 is relaxation type semiconductor. The appearance of the regions with negative differential resistance or sublinear rise of the current in I - V characteristics is connected with the injection of the minority charge carriers and recombination processes in the space charge layer.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.26

Рубрики:

Механічні властивості монокристалів напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"