Bunak S. V. Electrical properties of MIS structures with silicon nanoclusters / S. V. Bunak, V. V. Ilchenko, V. P. Melnik, I. M. Hatsevych, B. N. Romanyuk, A. G. Shkavro, O. V. Tretyak // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 2. - С. 241-246. - Бібліогр.: 10 назв. - англ.The theoretical and experimental investigations of electrical properties of the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures grown using high temperature annealing SiOx, <$E x~<<~2>, have been carried out. It has been experimentally found that the Al-SiO2-(Si - ncs)-SiO2-Si structures with the tunnel dielectric layer revealed the effect of dynamic memory. Electric properties and parameters of the interface states located between Si - ncs and SiO2 were studied in detail by measuring of current-voltage, capacitance-voltage, and thermally stimulated current characteristics. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В372.8 + В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|