The optical and electrical properties of single Cd1-xMnxTe (x = 0,07 - 0,40) crystals with p-type conduction and resistivity <$E 10 sup 4~-~10 sup 8~roman {Ohm~cdot~cm}> have been studied. The band gaps of the samples and their temperature dependences have been determined. The electrical conductivity of this material and its temperature variation are explained in terms of statistics for electrons and holes in semiconductor with taking into account the compensation process. The energy of ionization and degree of compensation levels responsible for the electrical conductivity of the samples have been found.

Індекс рубрикатора НБУВ: К230.21 + В379.24 + В379.27

Рубрики:

Структура монокристалів кольорових металів

Оптичні властивості напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"