Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.
Шифр НБУВ: Ж16425Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика УкраїниДодаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"