Gudenko Yu. M. Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells / Yu. M. Gudenko, V. V. Vainberg, V. M. Poroshin, V. M. Tulupenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2011. - 14, № 3. - С. 375-379. - Бібліогр.: 16 назв. - англ.The drift of charge carriers in the p-Si0,88Ge0,12/Si heterostructures under strong lateral electric fields and conditions of carrier generation by the band-to-band light absorption has been investigated experimentally. The data of the drift length, drift mobility, and lifetime of charge carriers within the temperature range 20 to 77 K under the electric field up to 1500 V/cm are presented. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.13 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|