![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Книжкові видання та компакт-диски ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Журнали та продовжувані видання ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Автореферати дисертацій ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Реферативна база даних ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Наукова періодика України ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Тематичний навігатор ![](/irbis_nbuv/images/db_navy.gif) Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395666<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Lee S. W. Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC / S. W. Lee, S. I. Vlaskina, V. I. Vlaskin, I. V. Zaharchenko, V. A. Gubanov, G. N. Mishinova, G. S. Svechnikov, V. E. Rodionov, S. A. Podlasov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 1. - С. 24-29. - Бібліогр.: 23 назв. - англ.At room temperature yellow photoluminescence with a broad peak of 2,13 eV is a well-known feature of boron-doped 6H-SiC. Usually yellow luminescence is regarded as recombination involving both the boron-related deep acceptor and donor level. But the nature of the deep level has not been clearly understood yet. We annealed 6H-SiC substrates by current in vacuum without boron injection at the temperature of 1350 and 1500 <$E symbol Р>C. We received red and yellow luminescence in PL spectrum for the heated 6H-SiC. The luminescence was regarded as donor-acceptor pair recombination involving the deep aluminum acceptor related to the adjacent carbon vacancies and nitrogen donor or the formation of quantum well like regions of 3C-SiC in 6H-SiC matrix. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.24
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|