Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395679<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Fodchuk I. M. Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry / I. M. Fodchuk, V. V. Dovganyuk, T. V. Litvinchuk, V. P. Kladko, M. V. Slobodian, O. Yo. Gudymenko, Z. Swiatek // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2. - С. 209-213. - Бібліогр.: 22 назв. - англ.Structural changes in silicon single crystals irradiated with high-energy electrons (E = 18 MeV) were studied. The peculiarities of diffraction reflection curve behaviour and changes in the profiles of isodiffusion lines in high-resolution reciprocal space maps (HR-RSMs) were found as a function of the radiation dose. The generalized dynamic theory of X-ray Bragg-diffraction in crystals comprising defects of several types (spherical and disc-shaped clusters as well as dislocation loops) and a damaged near-surface layer was used for explanation. Індекс рубрикатора НБУВ: В379
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|