Momot N. Zero bias terahertz and subterahertz detector operating at room temperature / N. Momot, V. Zabudsky, Z. Tsybrii, M. Apats'ka, M. Smoliy, N. Dmytruk // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2010. - 13, № 2. - С. 166-169. - Бібліогр.: 11 назв. - англ.In this paper, the experimental study of the terahertz and subterahertz hot electron bolometer based on narrow-gap semiconductor compound <$E {roman Hg} sub 1-x {roman Cd} sub x roman Te> is presented. The measurements were performed in the temperature range ftom 77 to 300 K at various operating mode and frequency. The estimated value of the noise equivalent power at room temperature for detector proposed was <$E 1,3~cdot~10 sup -8> and <$E 5,4~cdot~10 sup -9> W/Hz<^>1/2 at bias current I = 1 mA and I = 0, respectively. Індекс рубрикатора НБУВ: В341.334.1
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|