РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»
НОВІНАДХОДЖЕННЯ |
ПОШУК
|
РУБРИКАТОР
|
Бази даних
Реферативна база даних - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб|
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000395715<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 1 |
|||
Vlasov S. I. Effect of pressure on the properties of <$E bold roman {Al~-~SiO sub 2~-~n-Si symbol ... Ni symbol ъ}> structures / S. I. Vlasov, A. V. Ovsyannikov, B. K. Ismailov, B. H. Kuchkarov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 2. - С. 166-169. - Бібліогр.: 15 назв. - англ. We investigated the effect of hydrostatic pressure on relaxation characteristics of the three-layer <$E roman {Al~-~n-Si symbol ... Ni symbol ъ~SiO sub 2~-~Al}> structures. It was found that 20 min exposure to a pressure of 8 kbars results in reduction of the integral density of surface states, while exerting no influence on the generation centers in the bulk. Індекс рубрикатора НБУВ: В372.5 Рубрики: Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ  Повний текст Наукова періодика України  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця" | |||
| Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |
 |
| Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів |
 |
| Інститут проблем реєстрації інформації НАН України |
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського