We studied temperature dependences of the resistivity, <$E rho sub c (T)>, of Pd-Ti-Pd-Au ohmic contacts to wide-gap semiconductors n-GaN and n-AlN with a high dislocation density. Both <$E rho sub c (T)> curves have portions of exponential decrease, as well as those with very slight <$E rho sub c (T)> dependence at higher temperatures. Besides, the Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN contacts have a portion of <$E rho sub c (T)> flattening out in the low-temperature region. This portion appears only after rapid thermal annealing (RTA). In principle, its appearance may be caused by preliminary heavy doping of the near-contact region with a shallow donor impurity as well as doping in the course of contact formation owing to RTA, if the contact-forming layer involves a material atoms of which serve as shallow donors in III - N compounds. The obtained <$E rho sub c (T)> dependences cannot be explained by the existing mechanisms of current transfer. We propose other mechanisms explaining the experimental <$E rho sub c (T)> curves for ohmic contacts to n-GaN and n-AlN.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)
• Наумов Андрій Вадимович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"