Mustafaeva S. N. X-ray dosimetry of copper-doped CdGa2S4 single crystals / S. N. Mustafaeva, M. M. Asadov, D. T. Guseinov // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2012. - 15, № 4. - С. 358-359. - Бібліогр.: 4 назв. - англ.Comparative analysis of the X-ray dosimetric characteristics of CdGa2S4 and <$E roman {CdGa sub 2 S sub 4 symbol ... Cu symbol ъ}> single crystals demonstrates that after copper-doping the persistence of the crystal characteristics completely disappears. The current-dose characteristics <$E I sub r> ~ <$E E sup alpha> tend to linearity (<$E alpha~=~1>) at low dose rates of X-rays. At high dose rates, <$E alpha> tends to 0,5, which testifies to the mechanism of quadratic recombination of charge carriers generated by X-rays in <$E roman {CdGa sub 2 S sub 4 symbol ... Cu symbol ъ}>. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2 + В346.12
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|