Проведено теоретичний аналіз впливу екситонних станів на інтенсивність крайової люмінесценції напівпровідників різного типу за кімнатних температур і високих рівнів збудження з урахуванням ефектів екранування й екситонного переходу Мотта в рамках простих співвідношень, отриманих варіаційним методом. Обговорено також залежності квантового виходу фотолюмінесценції від рівня збудження і роль механізму екситонної безвипромінювальної анігіляції завдяки Оже-рекомбінації з участю глибоких домішкових рівнів. Доведено, що ймовірність такої Оже-рекомбінації зменшується зі зменшенням енергії зв'язку екситона.

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"