Masselink W. T. InAs quantum dots embedded into anti-modulation-doped GaAs superlattice structures / W. T. Masselink, H. Kissel, U. Mueller, C. Walther, Yu. I. Mazur, G. G. Tarasov, M. P. Lisitsa, S. R. Lavoric, Z. Ya. Zhuchenko // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 121-125. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Досліджено спектри фотолюмінесценції (ФЛ) від антимодульовано легованих надграткових структур GaAs, що містять тонкі шари InAs (1 - 2,5 моношару), вирощені на напівізолюючих підкладках GaAs з орієнтацією (001) за різних температур. Встановлено, що розподіл за розмірами квантових точок InAs, який має бімодальний характер за вищої температури підкладки під час вирощування (TG = 505 °C), трансформується на мультимодальний за нижчої температури росту (TG = 420 °C) і використання переривання росту. Вперше продемонстровано сильний зв'язок між квантовими точками, що належать до різних мод. Він стабілізує амплітуду та півширину лінії ФЛ для мод квантових точок із більшим індексом у межах певного температурного інтервалу (50 - 150 К). Це пов'язано з живленням випромінювальних переходів для цих мод безвипромінювальними переходами і перенесенням носіїв, спричинених розпадом екситонних станів мод квантових точок з малими індексами. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.249
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|