Shpilinskaya L. N. The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI / L. N. Shpilinskaya, B. G. Zaslavsky, L. V. Kovaleva, S. I. Vasetsky, A. M. Kudin, A. I. Mitichkin, T. A. Charkina // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2000. - 3, № 2. - С. 178-180. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.Виявлено, що лише двовалентні іони з низки домішок CO32-, SO42-, HCO3-, OH-, IO3-, NO3-, NO2-, CNO-, BO2-, які містять кисень, стимулюють інтенсивну блакитну люмінесценцію в кристалах CsI за умов УФ або гамма-збудження. Інтенсивність блакитної люмінесценції в кристалах CsI(CO3) є вищою, ніж у CsI(SO4). Розглянуто природу складових блакитної люмінесценції. Запропоновано два типи центрів: домішковий - CO32- - Va+ (395 нм) і структурний - Va+ - Vc- (435 нм), а також метод глибокої очистки розплаву від аніонів, що містять кисень, у процесі вирощування. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.9
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|