Предложен алгоритм адаптации модели датчика насыщения вертикального n-p-n-транзистора, совмещенного с ним в единой структуре, к системе автоматизированного проектирования. Алгоритм подразумевает сведение результатов измерения реальных интегральных структур с результатами моделирования комплекса (выходной транзистор) + (транзистор - датчик). Выявлены критические параметры модели, и указано на необходимость усреднения погрешности модели из-за высокой чувствительности к коэффициентам неидеальности переходов транзисторов.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.3

Рубрики:

Напівпровідникові тріоди (кристалічні тріоди, транзистори)

Шифр НБУВ: Ж69367 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"