We present experimental results concerning a high density of structural defects (in particular, dislocations) in the near-contact region of heavily doped n-silicon. They appear in the course of firing Au - Pd - Ti - Pd - <$En sup +> - Si ohmic contact at <$E450~symbol Р roman C> for 10 min in a vacuum of ~ 10<^>-4 Pa. These defects lead to appearance of metal shunts that determine the current flow mechanism in these ohmic contacts. The calculated and experimental temperature dependences of contact resistivity, <$Erho sub c (T)>, are in good agreement. It is shown that <$Erho sub c> increases with temperature. This is characteristic of a model of ohmic contacts with a high dislocation density in the near-contact region of semiconductor.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.5

Рубрики:

Електричні явища при контакті напівпровідників з напівпровідниками, металами та діелектриками

Шифр НБУВ: Ж16425 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"