В исследовании тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольтамперной характеристики импульсным способом. Проанализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значений параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры.

В дослідженні теплову математичну модель використано для оцінки саморозігріву напівпровідникових приладів різних типів в процесі вимірювання їх ВАХ імпульсним способом. Проаналізовано вплив саморозігріву на електричні параметри напівпровідникових приладів. Сформульовано рекомендації з вибору значень параметрів вимірювальної імпульсної послідовності, використання яких дозволяє мінімізувати саморозігрів напівпровідникової структури.

The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure.

• Бондаренко Алла Федорівна (економічні науки)
• Бондаренко Олександр Федорович (1951–) (психологічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"