Бобренко Ю. Н. Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю. Н. Бобренко, В. Н. Комащенко, Н. В. Ярошенко, Г. И. Шереметова, Б. С. Атдаев // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2012. - № 5. - С. 35-38. - Библиогр.: 3 назв. - рус.Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольтамперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A2B6 с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников. Вивчено спектральні, вольт-фарадні та вольтамперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A2B6 з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів. The article presents the study on spectral, capacitance-voltage and current-voltage characteristics of surface-barrier structures based on A2B6 composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application. Індекс рубрикатора НБУВ: З854.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|