Показано, що осаджена плівка Al на поверхню (111) кристала Si(p) формує деформаційне поле в приповерхневому шарі. За одновісної пружної деформації кристала спостерігається гетерування дефектів з об'єму зразка у приповерхневому шарі під напиленою плівкою. Одержана залежність зміни величини опору цих зразків від величини пружної деформації підтверджує гетерування електрично активних дефектів у приповерхневому деформованому шарі. Проведено теоретичні розрахунки максимальної глибини захоплення цих дефектів на основі енергії взаємодії деформованого шару та дислокацій.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.226 в641 + В379.27 в641

Рубрики:

Тонкі шари напівпровідників

Електричні і магнітні властивості напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж26988 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"