Досліджено залежність концентрації та рухливості носіїв заряду в епітаксійних шарах InAs, одержаних із індієвих і вісмутових розплавів, легованих магнієм, в інтервалі температур <$E 670~-~550~symbol Р roman C>. Встановлено, що за концентрацій Mg 0,07 - 0,12 ат. % у розплавах вісмуту кристалізуються шари InAs n-типу провідності, а їх рухливість зростає від 70 000 до 92 000 см<^>2/<$E roman {B~cdot~c}>. За концентрацій <$E Mg~symbol Ы~1,1> ат. % в індієвих і за 0,56 ат. % у вісмутових розплавах кристалізуються шари p-InAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271

Рубрики:

Електричні властивості

Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Ваків Микола Михайлович (1952–) (технічні науки)
• Круковський Ростислав Семенович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"