Ваків М. М. Отримання слабколегованих кремнієм товстих шарів i-GaAs методом рідинно-фазної епітаксії / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісн. Нац. ун-ту "Львів. політехніка". - 2013. - № 764. - С. 102-106. - Бібліогр.: 7 назв. - укp.Досліджено технологічні аспекти одержання i-GaAs шарів, легованих кремнієм, за допомогою методу РФЕ із застосуванням дисилану як джерела легуючої домішки. Встановлено, що використання дисилану надає змогу кристалізувати епітаксійні p - i - n структури GaAs з шириною i-області з майже у 2 рази більшою товщиною, ніж за використання технології "вологого водню". Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29409/А Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|