Стороженко М. С. Исследование закономерностей высокотемпературного окисления композиционных материалов системы TiB2 - SiC для нанесения защитных HVOF-покрытий / М. С. Стороженко, А. П. Уманский, С. С. Чупров // Авиац.-косм. техника и технология. - 2011. - № 7. - С. 44-47. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Исследованы закономерности высокотемпературного окисления композиционного материала системы TiB2 - 20 масс. % SiC и влияние плакирования никелем на его стойкость к высокотемпературному окислению. Установлено, что при температуре до 1000 <$E symbol Р>С окисление материала TiB2 - 20 масс. % SiC происходит в две стадии с образованием оксидов В2О3, SiO2, TiO2, которые формируют стекловидную пленку, препятствующую дальнейшему окислению. Показано, что плакирование никелем приводит к увеличению температуры начала интенсивного окисления композиционного материала на 122 <$E symbol Р>С и оплавлению порошка при повышенных температурах. Індекс рубрикатора НБУВ: О52-060.17
Шифр НБУВ: Ж24839 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|