Балабай Р. М. Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів / Р. М. Балабай // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології : зб. наук. пр.. - 2012. - 10, вип. 4. - С. 847-857. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.При помощи методов функционала электронной плотности и псевдопотенциала из первых принципов рассчитаны распределения плотности валентных электронов и электронные спектры эпитаксиальных гетероструктур Si/CdTe/CdxHg1-xTe (x = 0,2)/CdTe и Si/CdTe/CdxHg1-xTe (x = 0,2)/ZnS. Определено уменьшение плотности электронного заряда в слоях CdTe и ZnS, которые покрывают пленку CdxHg1-xTe (изолирующий эффект). Обнаружено наличие потенциальных барьеров на границе раздела слоев CdTe и CdxHg1-xTe (x = 0,2), а также ZnS и CdxHg1-xTe (x = 0,2). Індекс рубрикатора НБУВ: В379.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж72631 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|