Досліджено внесок електрон-фононної взаємодії в параметр уширення сходинок Ваньє - Штарка в окиснених структурах макропористого кремнію з різною концентрацією станів Si - O - Si (TO і LO фононів). Одержане значення цього параметра є набагато меншим, ніж енергія сходинки Ваньє - Штарка, оцінена за осциляціями резонансного розсіювання електронів на поверхневих станах досліджених структур. Визначено вплив уширення на амплітуду осциляцій в ІЧ-спектрах поглинання як взаємодію поверхневих багатофононних поляритонів з електронами та перетворення резонансного розсіювання електронів у зразках з низькою концентрацією зв'язків Si - O - Si у звичайне розсіювання на іонізованих домішках для зразків з високою концентрацією зв'язків Si - O - Si. Трансформація відбувається, коли час розсіювання електронів збігається з періодом осциляцій електронів в приповерхневому електричному полі.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Сапельнікова Олена Юріївна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"